J4 ›› 2015, Vol. 32 ›› Issue (5): 519-524.
纳米发光材料电荷迁移激发光谱的红移机理研究
卜树坡 尚春宇
- 1苏州工业职业技术学院 电子与通信工程系，江苏 苏州 215104；
2.黑龙江科技大学电子与信息工程学院，黑龙江 哈尔滨 150027
Theoretical investigation on the red shift of charge transfer excitation spectrum for nano-sized phosphors
Bu Shupo, Shang Chunyu
- 1 Department of Electronic and Communication Engineering, Suzhou Institute of Industrial Technology, Suzhou 215104, China；
2 School of Electronic and Information Engineering, Heilongjiang University of science and technology, Haerbin150027, China
摘要：
基于Kronig-Penney模型，得出了晶体材料禁带宽度 或特定能级 在禁带中的位置随着晶体体积畸变而变化的趋势，进而推断出Y2O3:Eu3+发光材料的零声子电荷迁移能 将随着材料纳米尺寸的下降而下降。此外，Y2O3:Eu3+纳米发光材料晶格环境刚性的下降导致了发光中心CT态坐标偏差的增大，这意味着在电荷迁移(CT)激发中发光中心将跃迁至更高的振动能级。随着Y2O3:Eu3+发光材料纳米尺寸的下降，振动能 的上升幅度小于零声子电荷迁移能 的下降幅度，电荷迁移能ECT由此下降，CT激发光谱向低能端移动。