摘要: 采用线性组合算符法和幺正变换方法,研究极性晶体膜中束缚磁极化子的自陷能随膜厚d的变化关系。得出束缚磁极化子的自陷能由两部分组成:第一部分是由于电子—体LO声子相互作用所引起的( )极化子效应;第二部分则是电子-SO声子相互作用引起的。后者又包含两部分,分别是电子与极性膜中两支表面声子相互作用的贡献( )。通过对KCl半导体膜的数值计算表明, 和磁极化子的振动频率 随膜厚d的增加而减少;当膜厚大于5nm时,总自陷能 趋于一稳定值。另外,由于稳恒磁场的存在,使磁极化子的自陷能增大,这主要是由于稳恒磁场的存在,使电子—声子间的相互作用增强,极化子效应增大而引起的。