Ⅲ-Ⅴ族半导体材料组成光子晶体能态密度特性

J4 ›› 2012, Vol. 29 ›› Issue (4): 491-494.

Ⅲ-Ⅴ族半导体材料组成光子晶体能态密度特性

陈士芹

临沂大学实验管理中心, 山东临沂 276000

收稿日期:2012-01-04 修回日期:2012-02-23 出版日期:2012-07-28 发布日期:2012-07-01
通讯作者: 陈士芹（1960-）女，山东临沂人，实验师，从事光子晶体方面的研究。 E-mail:chenshiqin6@126.com
基金资助:
山东省2011年高等学校科技计划（J11LG74）

Density states properties of photonic crystal with group Ⅲ-Ⅴsemiconductor material

CHEN Shi-qin

Experiment Administrative Center, Linyi University, Linyi 276000, China

Received:2012-01-04 Revised:2012-02-23 Published:2012-07-28 Online:2012-07-01

摘要/Abstract

摘要：

基于平面波展开法，以Ⅲ-Ⅴ族半导体材料AIP、AIAs、AISb和GaP构成二维方形格子光子晶体，并对其光子晶体能态密度特性进行了数值模拟。结果表明，Ⅲ-Ⅴ族半导体材料构成二维方形格子光子晶体具有较好的光子带隙，形成的最大带隙随介电常数差值的增大而增大，f=0.2a时归一化频率达到最大光子带隙，AISb具有较宽的光子禁带。该研究结果为光子晶体器件的研究提供理论依据。

关键词: 光电子学, 能态密度特性, 平面波展开法, 半导体材料, 光子晶体

Abstract:

Density states properties of two-dimension square lattice photonic crystals with Ⅲ-ⅤAIP, AIAs, AISb and GaP semiconductor material were calculated by plane wave expansion method (PWM). The results showed that they have wide photonic band gaps. The width of band gap increases gradually with the increasing of permittivity difference and gets the maximum value at f=0.2 in the normalized frequency. The data reveals among these photonic crystals, the one with AISb has the widest band gap. All these results provide theoretic basis for the photonic crystal devices.

Key words: optoelectronics, state density properties, plane wave expansion method, semiconductor material, photonic crystal

中图分类号:

O431.1

陈士芹. Ⅲ-Ⅴ族半导体材料组成光子晶体能态密度特性[J]. J4, 2012, 29(4): 491-494.

CHEN Shi-qin. Density states properties of photonic crystal with group Ⅲ-Ⅴsemiconductor material[J]. J4, 2012, 29(4): 491-494.

[1]	戚志明, 梁文耀 . 光束偏振对全息干涉制作复式光子晶体的影响研究[J]. 量子电子学报, 2023, 40(4): 447-457.
[2]	吕海燕 , 洪占勇 , 杜先常 , . 单光子探测器制冷系统研究[J]. 量子电子学报, 2023, 40(3): 400-406.
[3]	张若雅 , 朱巧芬 , 张岩 . 可调谐太赫兹超材料吸波器研究进展[J]. 量子电子学报, 2023, 40(3): 301-318.
[4]	徐建伟 , 欧阳收剑 , 段守鑫 , 邹林儿 , 邓晓华 , 沈云 , . 太赫兹平面环偶极子超材料传感器及地沟油检测[J]. 量子电子学报, 2023, 40(3): 333-339.
[5]	陈启明, 傅仁轩, 徐勇军, 刘益标, 周金运, 宋显文. 移动焦平面正反面曝光制备 SU-8 微结构及 PDMS 浓度梯度产生器[J]. 量子电子学报, 2023, 40(3): 415-422.
[6]	潘晓凯 , 姜梦杰, , 王东, , 吕旭阳, , 蓝诗琪 , , 卫英东 , , 何源, , 郭书广, , 陈平平 , 王林∗ , 陈效双 , 陆卫. 红外-太赫兹光电探测器应用及前沿变革趋势[J]. 量子电子学报, 2023, 40(2): 217-237.
[7]	董秦鲁, 韩一平∗ , 张启凡. 太赫兹波在高超声速目标等离子体鞘套中的传输特性[J]. 量子电子学报, 2023, 40(2): 258-266.
[8]	姚柏志 , 石粒力 , 吴敬波, , 陈健 , ∗ , 吴培亨 , . 极低温下高灵敏太赫兹探测阵列的信号读出[J]. 量子电子学报, 2023, 40(2): 267-274.
[9]	汪辰宇♯ , 廖宇♯ , 梅志杰, 刘旭东, 孙怡雯∗. 基于 GaAs 表面等离子体栅阵结构的太赫兹调制器[J]. 量子电子学报, 2023, 40(2): 275-281.
[10]	阮志强, 张磊, 赵欣瑜, 江兴方∗. 一种新型圆形掺杂光子晶体光纤负色散特性的分析[J]. 量子电子学报, 2023, 40(1): 133-138.
[11]	刘华北 , 周雁 , 邵杰 , 管祖光 , 陈达如∗. 光子晶体光纤液压传感技术研究进展[J]. 量子电子学报, 2023, 40(1): 22-31.
[12]	吴仍来∗, 余亚斌, 肖世发, 全军. 单层原子的厚度对等离激元色散关系的修正[J]. 量子电子学报, 2022, 39(4): 541-548.
[13]	王洋, 李新∗, 黄雄豪, 刘恩超, 张艳娜. 太阳光谱辐照度仪波长扫描设计[J]. 量子电子学报, 2022, 39(4): 519-530.
[14]	孟维利∗, 王晴晴, 邵静, 程宏伟, 宫昊. 石墨烯基杂化聚合物太阳能电池中光活性层组成对器件性能的影响[J]. 量子电子学报, 2022, 39(4): 613-619.
[15]	张立∗, 王琦. 三角形截面GaN 纳米线中的Fr¨ohlich 电子-声子相互作用哈密顿[J]. 量子电子学报, 2022, 39(4): 632-643.